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IRS2181STRPBFの集積回路の破片非8-SOICを逆にする半分橋ゲートの運転者IC
| 起源の場所 | 米国 |
|---|---|
| ブランド名 | Infineon Technologies |
| 証明 | RoHS |
| モデル番号 | IRS2181STRPBF |
| 最小注文数量 | 2500 |
| 価格 | negotiate |
| パッケージの詳細 | バルク |
| 受渡し時間 | 5-8の仕事日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | 2500 |
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x商品の詳細
| 製品名 | IRS2181STRPBF | ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V、2.5V |
|---|---|---|---|
| 電流 - ピーク出力 (ソース、シンク) | 1.9A、2.3A | ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)\ | 600V |
| 電圧-供給 | 10V～20V | パッケージ/場合 | 8-SOIC (0.154インチ、幅3.90mm) |
| ハイライト | IRS2181STRPBFの集積回路の破片,非8-SOICを逆にする集積回路の破片,IRS2181STRPBF半分橋ゲートの運転者IC |
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製品の説明
IRS2181STRPBF半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC
記述
IRS2181/IRS21814は独立した高側および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は3.3ボルトの論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者の交差伝導のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。浮遊チャネルが600までV.作動させる高側の構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。
特徴
•ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
•+600ボルトに完全に機能した
•否定的で一時的な電圧、dV/dtimmuneに耐久性がある
•10ボルトからの20ボルトへのゲート ドライブ供給の範囲
•両方のチャネルのための不足電圧閉鎖
•3.3互換性があるVおよび5ボルトの入力論理
•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
•論理および力の地面+/- 5ボルトのオフセット
•よりよいノイズ耐性のためのより低いdi/dtのゲートの運転者
•出力源/流しの現在の機能1.4 A/1.8 A
•迎合的なRoHS
IRS2181STRPBFの指定
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部門
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集積回路（IC）
力管理（PMIC）
ゲートの運転者
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Mfr
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国際的な整流器
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シリーズ
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-
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プロダクト状態
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活動的
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運転された構成
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半橋
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チャネル タイプ
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独立した
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運転者の数
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2
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ゲートのタイプ
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IGBT、N-Channel MOSFET
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電圧-供給
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10V | 20V
|
|
論理の電圧- VIL、VIH
|
0.8V、2.5V
|
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現在-ピーク出力（源、流し）
|
1.9A、2.3A
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入れられたタイプ
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非逆になること
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最高高い側面の電圧- （ブートストラップ）
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600ボルト
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上昇/落下の時間（タイプ）
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40ns、20ns
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実用温度
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-40°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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原物
私達の会社はプロダクトの各バッチが元の工場から来る保障し、ことを元のラベルおよび専門のテスト代理店のレポートを提供できる。
価格
私達はいろいろな引用語句チャネルを提供し、交渉の後で順序の契約に署名する。
トランザクション
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納入サイクル
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輸送
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包装
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