新しいBTS7202 RXの前部分モジュールおよびBTS6403/6305の前運転者は5G呼出し質およびインターネットの速度の改善を助ける高出力力、改善された直線性および減らされた騒音を提供する。
NXP®半導体の半導体は新しい高い発電BTS7202 RXの前部分モジュール（FEM）およびチャネルごとの20 Wへ5G大きいmultiple-input multiple-output （MIMO）上がることのためのBTS6403 /6305の前運転者を発表した。NXPのケイ素のゲルマニウム（SiGe）プロセスで成長して、実行されて、装置は適度な消費電流と移動式ネットワーク・オペレータ（MNOs）のための運用コストを削減するために作動する。それらはまた改善された直線性およびよりよい5G信号品質を支えるために減らされた雑音指数を提供する。
5Gネットワークが地球を渡って造られ続けるのでMNOsはますますより少なく密な都市および郊外地区の大きいMIMOの適用範囲を改善するてこ入れ32T32R解決である。32T32R解決を利用することは5G信号の強い適用範囲を保障するために必要な総力を達成するためにチャネルごとのパワー レベルを増加する高い発電装置を使用して要求する。
新しいBTS7202のRX FEMsおよびBTS6403/6305前運転者は32T32RラジオのためのNXPの電力増幅器の解決を補足する5G基地局のための広範囲のおよび容易に実行された解決を提供する。BTS7202 RX FEMsの特徴はから漏る力の20Wまで扱うことができるスイッチ システムの複雑さを減らす整列を送信する。BTS6305前運転者はまたコストを削減するために平衡不平衡変成器を統合する。