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DS1312S-2+T&R ICのコントローラーNV 8-SOICの表面の台紙IC 4.75V | 5.5V
| モデル: | DS1312S-2+T&R |
|---|---|
| コントローラーの種類: | 不揮発性 RAM |
| プロダクト状態: | 活動的 |
SM662PXF BESSポール モジュールのフラッシュ・メモリICの破片EMMC 100-BGA
| モデル: | SM662PXF ベス |
|---|---|
| 技術: | フラッシュ-否定論履積（TLC） |
| プロダクト状態: | 活動的 |
AT28C256-15UMポール モジュールEEPROM ICのフラッシュ・メモリの平行150 Ns 28-CPGA
| モデル: | AT28C256-15UM/883-815 |
|---|---|
| 技術: | EEPROM |
| プロダクト状態: | 活動的 |
AT28C256-20UMポール モジュール28-CPGA EEPROMの記憶IC 256Kbは200 Nsを平行にする
| モデル: | AT28C256-20UM/883-815 |
|---|---|
| 技術: | EEPROM |
| プロダクト状態: | 活動的 |
SM662PXF BFSS IC否定論履積抜け目がないTLC ICの記憶EMMC 153-BGA
| モデル: | SM662PXF BFSS |
|---|---|
| 技術: | フラッシュ-否定論履積（TLC） |
| プロダクト状態: | 活動的 |
AT28C256E-25UMポール モジュール256Kb EEPROM IC平行250 Ns 28-CPGA
| モデル: | AT28C256E-25UM/883-815 |
|---|---|
| 技術: | EEPROM |
| プロダクト状態: | 活動的 |
FEMC512GBE-E530否定論履積の記憶IC 4Tb 200MHz非揮発性メモリIC
| モデル: | FEMC512GBE-E530 |
|---|---|
| 技術: | フラッシュ-否定論履積（TLC） |
| プロダクト状態: | 活動的 |
揮発SM662PXFポール モジュールBFST 153-BGAのフラッシュ・メモリIC EMMC非
| モデル: | SM662PXF BFST |
|---|---|
| 技術: | フラッシュ-否定論履積（TLC） |
| プロダクト状態: | 活動的 |
SM662GXF BFSS否定論履積のフラッシュ・メモリIC TLC EMMC 100-BGAの能動態
| モデル: | SM662GXF BFSS |
|---|---|
| 技術: | フラッシュ - NAND (SLC)、フラッシュ - NAND (TLC) |
| プロダクト状態: | 活動的 |