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PチャネルIRF9540NPBFの回路チップ100ボルト23A （穴TO-220ABを通したTc） 140W （Tc）
| 起源の場所 | 米国 |
|---|---|
| ブランド名 | Infineon Technologies |
| 証明 | RoHS |
| モデル番号 | IRF9540NPBF |
| 最小注文数量 | 1000 |
| 価格 | negotiate |
| パッケージの詳細 | チューブ |
| 受渡し時間 | 5-8の仕事日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | 2000年 |
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x商品の詳細
| 製品名 | IRF9540NPBF | Vgs(th) (最大) ID | 4V 250μA |
|---|---|---|---|
| ゲート電荷 (Qg) (最大) Vgs | 97nC 10V | Vgs (最大) | ±20V |
| Rds オン (最大) Id、Vgs | 117ミリオーム 11A、10V | サプライヤー デバイス パッケージ | TO-220AB |
| ハイライト | PチャネルIRF9540NPBF,穴を通したIRF9540NPBF,回路チップ100ボルトTO-220AB |
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製品の説明
IRF9540NPBFのP-Channel 100 V 23A （穴TO-220ABを通したTc） 140W （Tc）
Intemational Rectifieutilize加工の技巧をからのケイ素区域ごとのachieveextremely低いオン抵抗に第5世代HEXFETSは進めた。HEXFET PowerMOSFETSが有名である速い切り替え速度andruggedized装置設計と結合されるThisbenefitはuseinに、designerwithを非常に有効な、信頼できる装置適用の広くvanety提供する。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの力のdissipationlevelsのallcommercialindustrial適用のために一般に好まれる。theindustry中の広い受諾へのに220contributeの低いthermalresistanceそして低いパッケージの費用。
IRF9540NPBFの指定
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Mfr
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インフィニオン・テクノロジーズ
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シリーズ
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HEXFET
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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P-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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100ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） 25°C
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23A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高の） ID、VgsのRds
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117mOhm 11A、10V
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Vgs （Th） （最高の） ID
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4V 250µA
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ゲート充満（Qg） （最高の） Vgs
|
97 NC 10 V
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（Ciss） （最高の） Vds
|
1300 pF 25 V
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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140W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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穴を通して
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製造者装置パッケージ
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TO-220AB
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パッケージ/場合
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TO-220-3
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原物
私達の会社はプロダクトの各バッチが元の工場から来る保障し、ことを元のラベルおよび専門のテスト代理店のレポートを提供できる。
価格
私達はいろいろな引用語句チャネルを提供し、交渉の後で順序の契約に署名する。
トランザクション
コミュニケーションおよび一致の後で、私達は支払を整理するために導く。
納入サイクル
同日配達は、一般に5-12仕事日、伝染病の間に私達追う全プロセスをわずかに遅れるかもしれない。
輸送
私達はあなたの国に従って適切な交通機関モードを選ぶ。
包装
あなたとのコミュニケーションの後で、私達は商品の重量に従って商品の安全な配達を保障するために適切な包装方法を選ぶ。
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