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VIDEO 中国 NOR フラッシュメモリタイプを持つリールパッケージング統合回路

NOR フラッシュメモリタイプを持つリールパッケージング統合回路

Memory Organization: 512K X 8
Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
VIDEO 中国 ストレージ - 供給 2.7 V - 3.6 V 拡張データ保存付き統合回路

ストレージ - 供給 2.7 V - 3.6 V 拡張データ保存付き統合回路

Package / Case: SOIC-8
Memory Type: NOR Flash
Mounting Type: Surface Mount
中国 2.7 V 供給電圧 - 信頼性の高い性能のためのインテグレート・サーキット

2.7 V 供給電圧 - 信頼性の高い性能のためのインテグレート・サーキット

Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
中国 NOR フラッシュメモリ型統合回路 - 最低 2,7 V の電源電圧

NOR フラッシュメモリ型統合回路 - 最低 2,7 V の電源電圧

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
中国 フラッシュメモリIC集成回路 50μS の書き込みサイクル時間

フラッシュメモリIC集成回路 50μS の書き込みサイクル時間

周期にタイムの単語を書きなさい: 50μs
最高供給電圧-: 3.6 V
スピード: 50ns
中国 リールパッケージ 統合回路チップ 20年データ保存

リールパッケージ 統合回路チップ 20年データ保存

サイクルの時間 - ページを書く: 50μs
周期にタイムの単語を書きなさい: 50μs
記憶容量: 4Mbit
中国 4Mbit フラッシュメモリ IC 3.6V 供給電圧 最大

4Mbit フラッシュメモリ IC 3.6V 供給電圧 最大

包装: 巻き枠
サイクルの時間 - ページを書く: 50μs
記憶タイプ: 抜け目がない
中国 SOIC-8 512K X 8 50ns 統合回路

SOIC-8 512K X 8 50ns 統合回路

速度: 50ns
周期にタイムの単語を書きなさい: 50μs
データ保持: 20年
中国 2.7V 集積回路回筒の包装

2.7V 集積回路回筒の包装

記憶タイプ: 抜け目がない
最高供給電圧-: 3.6 V
製品タイプ: フラッシュ・メモリIC
中国 リールパッケージング 統合回路 512K X 8 メモリ組織で利用可能

リールパッケージング 統合回路 512K X 8 メモリ組織で利用可能

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
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