2N7002K-7 N-Channel 60 V 380mA (Ta)の370mW (Ta)表面の台紙SOT-23-3

起源の場所 米国
ブランド名 Diodes Incorporated
証明 RoHS
モデル番号 2N7002K-7
最小注文数量 3000
価格 negotiations
パッケージの詳細 テープ リール(TR)
受渡し時間 5-8の仕事日
支払条件 T/T
供給の能力 3000

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商品の詳細
モデル 2N7002K-7 ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 380mA(タ) 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 5V、10V
Vgs(th) (最大) @ Id 2.5V@1mA パッケージ/場合 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
メッセージ
製品の説明

2N7002K-7 N-Channel 60 V 380mA (Ta)の370mW (Ta)表面の台紙SOT-23-3

記述および適用

このMOSFETはオン州の抵抗(RDS設計されていた()最小にするように)をまだそれを高性能力管理適用にとって理想的にさせる優秀な転換の性能を維持しなさい。

の運動制御

は管理機能に動力を与える

の逆光照明

 

特徴および利点

の低いオン抵抗

の低い入れられたキャパシタンス

の速い切り替え速度

低い入出力漏出

ESDは2kVまで保護した

 

機械データ

の場合:SOT23

の場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合物。94V-0を評価するULの燃焼性の分類

の湿気感受性:J-STD-020ごとの水平に1

ターミナル:終わり

合金42 Leadframeにアニールされるの無光沢の錫。MIL-STD-202の方法208ごとのSolderable

の重量:0.008グラム(おおよそ)

 

2N7002K-7の指定

部門
分離した半導体製品
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
Mfr
組み込まれるダイオード
シリーズ
-
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
60ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
380mA (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
5V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds
2Ohm @ 500mA、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
0.3 NC @ 4.5ボルト
Vgs (最高)
±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
50 pF @ 25ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
370mW (Ta)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
SOT-23-3
パッケージ/場合
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

 

原物

 

私達の会社はプロダクトの各バッチが元の工場から来る保障し、ことを元のラベルおよび専門のテスト代理店のレポートを提供できる。

 

価格

 

私達はいろいろな引用語句チャネルを提供し、交渉の後で順序の契約に署名する。

 

トランザクション

 

コミュニケーションおよび一致の後で、私達は支払を整理するために導く。

 

納入サイクル

 

同日配達は、一般に5-12仕事日、伝染病の間に私達追う全プロセスをわずかに遅れるかもしれない。

 

輸送

 

私達はあなたの国に従って適切な交通機関モードを選ぶ。

 

包装

 

あなたとのコミュニケーションの後で、私達は商品の重量に従って商品の安全な配達を保障するために適切な包装方法を選ぶ。