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DMP6050SFG-13 P-Channel 60 V 4.8A (Ta)の1.1W (Ta)表面の台紙PowerDI3333-8

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x商品の詳細
モデル | DMP6050SFG-13 | 技術 | MOSFET (金属酸化物) |
---|---|---|---|
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 60V | 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4.8A(タ) |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | Rds On (Max) @ Id、Vgs | 50ミリオーム @ 5A、10V |
製品の説明
DMP6050SFG-13 P-Channel 60 V 4.8A (Ta)の1.1W (Ta)表面の台紙PowerDI3333-8
記述および適用
このMOSFETはオン州の抵抗(RDS設計されていた()最小にするように)を今までのところではそれを高性能力管理適用にとって理想的にさせる優秀な転換の性能を維持するため。
の逆光照明
は管理機能に動力を与える
DC-DCのコンバーター
特徴および利点
低いRDS () –州の損失で最小にされる保障する
小さい熱的に有効なパッケージを形式要素は高密度最終製品を可能にする
はSO-8によって占められる板区域のちょうど33%を占めより小さい最終生成物を可能にする
無鉛迎合的な全く及び十分にRoHS
自由なのハロゲンおよびアンチモン。「緑の」装置
機械データ
の場合:POWERDI® 3333-8
の場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合物。94V-0を評価するULの燃焼性の分類
の湿気感受性:J-STD-020ごとの水平に1
のターミナル コネクションの表示器:図表を見なさい
ターミナル:終わり
銅のLeadframeにアニールされるの無光沢の錫。MIL-STD-202の方法208ごとのSolderable
の重量:0.072グラム(おおよそ)
DMP6050SFG-13の指定
部門
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分離した半導体製品
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
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Mfr
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組み込まれるダイオード
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シリーズ
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-
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FETのタイプ
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P-Channel
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技術
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MOSFET (金属酸化物)
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流出させなさいに源の電圧(Vdss)
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60ボルト
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現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
|
4.8A (Ta)
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
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4.5V、10V
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(最高) @ ID、VgsのRds
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50mOhm @ 5A、10V
|
Vgs ((最高) Th) @ ID
|
3V @ 250µA
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ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
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24 NC @ 10ボルト
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Vgs (最高)
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±20V
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入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
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1293 pF @ 30ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失(最高)
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1.1W (Ta)
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実用温度
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-55°C | 150°C (TJ)
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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PowerDI3333-8
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パッケージ/場合
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8-PowerVDFN
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原物
私達の会社はプロダクトの各バッチが元の工場から来る保障し、ことを元のラベルおよび専門のテスト代理店のレポートを提供できる。
価格
私達はいろいろな引用語句チャネルを提供し、交渉の後で順序の契約に署名する。
トランザクション
コミュニケーションおよび一致の後で、私達は支払を整理するために導く。
納入サイクル
同日配達は、一般に5-12仕事日、伝染病の間に私達追う全プロセスをわずかに遅れるかもしれない。
輸送
私達はあなたの国に従って適切な交通機関モードを選ぶ。
包装
あなたとのコミュニケーションの後で、私達は商品の重量に従って商品の安全な配達を保障するために適切な包装方法を選ぶ。
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