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DMG1012UW-7 N-Channel 20 V 1A （Ta）の290mW （Ta）表面の台紙SOT-323
| 起源の場所 | 米国 |
|---|---|
| ブランド名 | Diodes Incorporated |
| 証明 | RoHS |
| モデル番号 | DMG1012UW-7 |
| 最小注文数量 | 3000 |
| 価格 | negotiations |
| パッケージの詳細 | テープ リール（TR） |
| 受渡し時間 | 5-8の仕事日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | 15000 |
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x商品の詳細
| モデル | DMG1012UW-7 | ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 20V |
|---|---|---|---|
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V、4.5V | Rds On (Max) @ Id、Vgs | 450ミリオーム@600mA、4.5V |
製品の説明
DMG1012UW-7 N-Channel 20 V 1A （Ta）の290mW （Ta）表面の台紙SOT-323
特徴
•低いオン抵抗
•低いゲートの境界の電圧
•低い入れられたキャパシタンス
•速い切り替え速度
•低い入出力漏出
•ESDは2kVまで保護した
•迎合的な全く無鉛及び十分にRoHS
•自由なハロゲンおよびアンチモン。「緑の」装置
•特定の変更制御を要求する自動車適用のため
機械データ
•場合:SOT323
•場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合物。94V-0を評価するULの燃焼性の分類
•湿気感受性:J-STD-020ごとの水平に1
•ターミナル コネクション:次図表を見なさい
•ターミナル:合金42 Leadframeにアニールされる終わりの⎯の無光沢の錫。MIL-STD-202の方法208ごとのSolderable
•重量:0.006グラム（おおよそ）
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部門
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分離した半導体製品
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
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Mfr
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組み込まれるダイオード
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シリーズ
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-
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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20ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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1A （Ta）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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1.8V、4.5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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450mOhm @ 600mA、4.5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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1V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
|
0.74 NC @ 4.5ボルト
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Vgs （最高）
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±6V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
|
60.67 pF @ 16ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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290mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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SOT-323
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パッケージ/場合
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SC-70、SOT-323
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原物
私達の会社はプロダクトの各バッチが元の工場から来る保障し、ことを元のラベルおよび専門のテスト代理店のレポートを提供できる。
価格
私達はいろいろな引用語句チャネルを提供し、交渉の後で順序の契約に署名する。
トランザクション
コミュニケーションおよび一致の後で、私達は支払を整理するために導く。
納入サイクル
同日配達は、一般に5-12仕事日、伝染病の間に私達追う全プロセスをわずかに遅れるかもしれない。
輸送
私達はあなたの国に従って適切な交通機関モードを選ぶ。
包装
あなたとのコミュニケーションの後で、私達は商品の重量に従って商品の安全な配達を保障するために適切な包装方法を選ぶ。
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