DMN4800LSSQ-13 N-Channel 30 V 8.6A (Ta)の1.46W (Ta)表面の台紙8-SO

起源の場所 米国
ブランド名 Diodes Incorporated
証明 RoHS
モデル番号 DMN4800LSSQ-13
最小注文数量 2500
価格 negotiations
パッケージの詳細 テープ リール(TR)
受渡し時間 5-8の仕事日
支払条件 T/T
供給の能力 7500

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商品の詳細
モデル DMN4800LSSQ-13 ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 8.6A(タ) 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 4.5V、10V
Rds On (Max) @ Id、Vgs 14ミリオーム @ 9A、10V 消費電力 (最大) 1.46W(タ)
メッセージ
製品の説明

DMN4800LSSQ-13 N-Channel 30 V 8.6A (Ta)の1.46W (Ta)表面の台紙8-SO

記述

このMOSFETはオン州の抵抗(RDS設計されている()最小にするように)を今までのところではそれを高性能力管理適用にとって理想的にさせる優秀な転換の性能を維持するため。

 

適用

の逆光照明

は管理機能に動力を与える

DC-DCのコンバーター

 

特徴

の低いオン抵抗

の低い入れられたキャパシタンス

の速い切り替え速度

低い入出力漏出

無鉛迎合的な全く及び十分にRoHS

自由なのハロゲンおよびアンチモン。「緑の」装置

は高い信頼性のためにAEC-Q101標準に修飾した

可能なPPAP

 

機械データ

の場合:SO-8

の場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合物。94V-0を評価するULの燃焼性の分類

の湿気感受性:J-STD-020ごとの水平に1

のターミナル コネクション:図表を見なさい

ターミナル:-銅のLeadframeにアニールされる無光沢の錫を終えなさい。MIL-STD-202の方法208ごとのSolderable

の重量:0.072g (おおよそ)

DMN4800LSSQ-13 N-Channel 30 V 8.6A (Ta)の1.46W (Ta)表面の台紙8-SO 0

 

部門
分離した半導体製品
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
Mfr
組み込まれるダイオード
シリーズ
、AEC-Q101自動車
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
30ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
8.6A (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
4.5V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds
14mOhm @ 9A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
1.6V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
8.7 NC @ 5ボルト
Vgs (最高)
±25V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
798 pF @ 10ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
1.46W (Ta)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
8-SO
パッケージ/場合
8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)

 

原物

 

私達の会社はプロダクトの各バッチが元の工場から来る保障し、ことを元のラベルおよび専門のテスト代理店のレポートを提供できる。

 

価格

 

私達はいろいろな引用語句チャネルを提供し、交渉の後で順序の契約に署名する。

 

トランザクション

 

コミュニケーションおよび一致の後で、私達は支払を整理するために導く。

 

納入サイクル

 

同日配達は、一般に5-12仕事日、伝染病の間に私達追う全プロセスをわずかに遅れるかもしれない。

 

輸送

 

私達はあなたの国に従って適切な交通機関モードを選ぶ。

 

包装

 

あなたとのコミュニケーションの後で、私達は商品の重量に従って商品の安全な配達を保障するために適切な包装方法を選ぶ。